โมดูล Si PIN สี่ควอแดรนต์

รายการ #

หมวดแพ็คเกจ

เส้นผ่านศูนย์กลางของพื้นผิวที่ไวต่อแสง (มม.)

แรงดันไฟฟ้า (V)

แรงดันเสียง

ค่าที่มีประสิทธิภาพ

(มิลลิโวลต์)

ความรับผิดชอบ

(กิโลโวลต์/วัตต์)

ควอแดรนท์

ความไม่สอดคล้องกัน (%)

ครอสทอล์ค Quadrant

(%)

ช่วงไดนามิก

(เดซิเบล)

λ=1064นาโนเมตร

P_W=20น

หมายเหตุ

λ=1060นาโนเมตรP_W=20นφ_e=100μW

GD4316Y

TO-25

10

±12±0.5

2

15

6

3

100

สี่แฉกเดียว

GD4319Y

15

8

5

70 (สี่ส่วนภายใน)

57 (สี่ส่วนภายนอก)

สองเท่าสี่ควอแดรนท์