โมดูล Si PIN ขนาด 850 นาโนเมตร

รุ่น: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

คำอธิบายสั้น:

เป็นโมดูลโฟโตไดโอด Si PIN ขนาด 850 นาโนเมตรพร้อมวงจรขยายสัญญาณล่วงหน้าที่ช่วยให้ขยายสัญญาณกระแสอ่อนและแปลงเป็นสัญญาณแรงดันไฟฟ้า เพื่อให้เกิดกระบวนการแปลงสัญญาณขยายสัญญาณโฟตอน-โฟโตอิเล็กทริก

รับใบเสนอราคา ดาวน์โหลด

พารามิเตอร์ทางเทคนิค

แท็กสินค้า

คุณสมบัติ

การตอบสนองความเร็วสูง
ความไวสูง

แอพพลิเคชั่น

ฟิวส์เลเซอร์

พารามิเตอร์ตาแมว (@Ta=22±3℃)

รายการ #	หมวดแพ็คเกจ	เส้นผ่านศูนย์กลางของพื้นผิวที่ไวต่อแสง (มม.)	ความรับผิดชอบ	เวลาที่เพิ่มขึ้น (น.)	ช่วงไดนามิก (เดซิเบล)	แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน (วี)	แรงดันเสียง (มิลลิโวลต์)	หมายเหตุ
รายการ #	หมวดแพ็คเกจ	เส้นผ่านศูนย์กลางของพื้นผิวที่ไวต่อแสง (มม.)	λ=850nm，φ_e=1μW		λ=850นาโนเมตร	แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน (วี)	แรงดันเสียง (มิลลิโวลต์)	หมายเหตุ
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0.3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0.3	40	(มุมตกกระทบ: 0°, การส่งผ่าน 830nm~910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1.5	130	18	20	±6±0.3	40
GD42121Y		10×0.95	110	20	20	±5±0.1	25
หมายเหตุ: โหลดทดสอบของ GD4213Y คือ 50Ω ส่วนที่เหลือคือ 1MΩ