โรงงานเครื่องตรวจจับซัพพลายเออร์ - ผู้ผลิตเครื่องตรวจจับจีน

APD 355 นาโนเมตร

เป็นโฟโตไดโอด Si avalanche ที่มีพื้นผิวไวแสงขนาดใหญ่และ UV ที่ปรับปรุงแล้วให้ความไวสูงตั้งแต่ UV ถึง NIR

สอบถาม รายละเอียด
APD 800 นาโนเมตร

เป็นโฟโตไดโอด Si avalanche ที่ให้ความไวสูงตั้งแต่ UV ถึง NIRความยาวคลื่นตอบสนองสูงสุดคือ 800nm

สอบถาม รายละเอียด
APD 905 นาโนเมตร

เป็นโฟโตไดโอด Si avalanche ที่ให้ความไวสูงตั้งแต่ UV ถึง NIRความยาวคลื่นตอบสนองสูงสุดคือ 905nm

สอบถาม รายละเอียด
APD 1064 นาโนเมตร

เป็นโฟโตไดโอด Si avalanche ที่ให้ความไวสูงตั้งแต่ UV ถึง NIRความยาวคลื่นตอบสนองสูงสุดคือ 1064nmการตอบสนอง: 36 A/W ที่ 1064 นาโนเมตร

สอบถาม รายละเอียด
โมดูล APD ขนาด 1064 นาโนเมตร

เป็นโมดูลโฟโตไดโอด Si avalanche ที่ได้รับการปรับปรุงพร้อมวงจรขยายสัญญาณล่วงหน้าที่ช่วยให้สัญญาณกระแสไฟอ่อนสามารถขยายและแปลงเป็นสัญญาณแรงดันไฟฟ้า เพื่อให้เกิดกระบวนการแปลงของการขยายสัญญาณโฟตอน-โฟโตอิเล็กทริก

สอบถาม รายละเอียด
โมดูล InGaAs APD

เป็นโมดูลโฟโตไดโอดอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ที่มีวงจรขยายล่วงหน้าที่ช่วยให้ขยายสัญญาณกระแสไฟอ่อนและแปลงเป็นสัญญาณแรงดันไฟฟ้าเพื่อให้เกิดกระบวนการแปลงการขยายสัญญาณโฟตอน-โฟโตอิเล็กทริก

สอบถาม รายละเอียด
APD สี่ส่วน

ประกอบด้วยโฟโตไดโอด Si avalanche สี่ยูนิตเดียวกันที่ให้ความไวแสงสูงตั้งแต่ UV ถึง NIRความยาวคลื่นตอบสนองสูงสุดคือ 980nmการตอบสนอง: 40 A/W ที่ 1064 นาโนเมตร

สอบถาม รายละเอียด
โมดูล APD สี่ส่วน

ประกอบด้วยสี่หน่วยเดียวกันของโฟโตไดโอด Si avalanche พร้อมวงจรขยายล่วงหน้าที่ช่วยให้ขยายสัญญาณกระแสไฟอ่อนและแปลงเป็นสัญญาณแรงดันไฟฟ้า เพื่อให้เกิดกระบวนการแปลงการขยายสัญญาณโฟตอน-โฟโตอิเล็กทริก

สอบถาม รายละเอียด
โมดูล Si PIN ขนาด 850 นาโนเมตร

เป็นโมดูลโฟโตไดโอด Si PIN ขนาด 850 นาโนเมตรพร้อมวงจรขยายสัญญาณล่วงหน้าที่ช่วยให้ขยายสัญญาณกระแสอ่อนและแปลงเป็นสัญญาณแรงดันไฟฟ้า เพื่อให้เกิดกระบวนการแปลงสัญญาณขยายสัญญาณโฟตอน-โฟโตอิเล็กทริก

สอบถาม รายละเอียด
โฟโตไดโอด Si PIN ขนาด 900 นาโนเมตร

เป็นโฟโตไดโอด Si PIN ที่ทำงานภายใต้อคติย้อนกลับ และให้ความไวแสงสูงตั้งแต่ UV ถึง NIRความยาวคลื่นตอบสนองสูงสุดคือ 930nm

สอบถาม รายละเอียด
โฟโตไดโอด Si PIN 1064nm

เป็นโฟโตไดโอด Si PIN ที่ทำงานภายใต้อคติย้อนกลับ และให้ความไวแสงสูงตั้งแต่ UV ถึง NIRความยาวคลื่นตอบสนองสูงสุดคือ 980nmการตอบสนอง: 0.3A/W ที่ 1064 นาโนเมตร

สอบถาม รายละเอียด
โมดูลไฟเบอร์ Si PIN

สัญญาณแสงถูกแปลงเป็นสัญญาณปัจจุบันโดยการป้อนใยแก้วนำแสงโมดูล Si PIN มีวงจรขยายสัญญาณล่วงหน้าที่ช่วยให้ขยายสัญญาณกระแสไฟอ่อนและแปลงเป็นสัญญาณแรงดันไฟฟ้า เพื่อให้เกิดกระบวนการแปลงสัญญาณโฟตอน-โฟโตอิเล็กทริก-ขยายสัญญาณ

สอบถาม รายละเอียด