โฟโตไดโอด Si PIN 1064nm
คุณสมบัติ
- โครงสร้างเรืองแสงด้านหน้า
- กระแสมืดต่ำ
- การตอบสนองสูง
- ความน่าเชื่อถือสูง
แอพพลิเคชั่น
- การสื่อสารด้วยใยแก้วนำแสง การตรวจจับ และขอบเขต
- การตรวจจับด้วยแสงจาก UV ถึง NIR
- การตรวจจับชีพจรด้วยแสงที่รวดเร็ว
- ระบบควบคุมสำหรับอุตสาหกรรม
พารามิเตอร์ตาแมว（@Ta=25℃）
| รายการ # | หมวดแพ็คเกจ | เส้นผ่านศูนย์กลางของพื้นผิวที่ไวต่อแสง (มม.) | ช่วงการตอบสนองทางสเปกตรัม (นาโนเมตร) |
ความยาวคลื่นตอบสนองสูงสุด (นาโนเมตร) | ความรับผิดชอบ (A/W) λ=1064นาโนเมตร
| เวลาที่เพิ่มขึ้น λ=1064นาโนเมตร VR=40V RL=50Ω(ns) | กระแสมืด VR=40V (nA) | ความจุทางแยก VR=40V f=1MHz (พีเอฟ) | แรงดันพังทลาย （วี）
|
| GT102Ф0.2 | ประเภทโคแอกเชียล II,5501,TO-46 ประเภทปลั๊ก | Ф0.2 |
4～1100 |
980
| 0.3 | 10 | 0.5 | 0.5 | 100 |
| GT102Ф0.5 | Ф0.5 | 10 | 1.0 | 0.8 | |||||
| GT102Ф1 | Ф1.0 | 12 | 2.0 | 2.0 | |||||
| GT102Ф2 | TO-5 | Ф2.0 | 12 | 3.0 | 5.0 | ||||
| GT102Ф4 | TO-8 | Ф4.0 | 20 | 5.0 | 12.0 | ||||
| GD3310Y | TO-8 | Ф8.0 | 30 | 15 | 50 | ||||
| GD3217Y | TO-20 | Ф10.0 | 50 | 20 | 70 |
